2SC4135S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC4135S  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 140

Корпус транзистора: DPAK

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SC4135S

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC4135S даташит

 ..1. Size:295K  onsemi
 2sa1593s-e 2sa1593s 2sa1593t-e 2sa1593t 2sc4135s-e 2sc4135s 2sc4135t-e 2sc4135t.pdf pdf_icon

2SC4135S

Ordering number EN2511B 2SA1593/2SC4135 Bipolar Transistor http //onsemi.com (-)100V, (-)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA Applications Power supplies, relay derivers, lamp drivers Features Adoption of FBET, MBIT processes High breakdown voltage and large current capacity Fast switching speed Small and slim package permitting 2SA1593/2SC4135-applied se

 7.1. Size:112K  sanyo
 2sa1593 2sc4135.pdf pdf_icon

2SC4135S

Ordering number ENN2511A PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SA1593/2SC4135 High-Voltage Switching Applications Applications Package Dimensions Power supplies, relay derivers, lamp drivers. unit mm 2045B Features [2SA1593/2SC4135] Adoption of FBET, MBIT processes. 6.5 2.3 5.0 0.5 High breakdown voltage and large current capacity. 4 Fast switching speed.

 7.2. Size:156K  sanyo
 2sc4135.pdf pdf_icon

2SC4135S

Ordering number EN2511A PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors 2SA1593/2SC4135 High-Voltage Switching Applications Applications Package Dimensions Power supplies, relay derivers, lamp drivers. unit mm 2045B Features [2SA1593/2SC4135] Adoption of FBET, MBIT processes. High breakdown voltage and large current capacity. Fast switching speed. Small and slim pack

 7.3. Size:388K  onsemi
 2sa1593 2sc4135.pdf pdf_icon

2SC4135S

Ordering number EN2511B 2SA1593/2SC4135 Bipolar Transistor http //onsemi.com (-)100V, (-)2A, Low VCE(sat), (PNP)NPN Single TP/TP-FA Applications Power supplies, relay derivers, lamp drivers Features Adoption of FBET, MBIT processes High breakdown voltage and large current capacity Fast switching speed Small and slim package permitting 2SA1593/2SC4135-applied se

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC4132R, 2SC4133, 2SC4134, 2SC4134R, 2SC4134S, 2SC4134T, 2SC4135, 2SC4135R, 2N3906, 2SC4135T, 2SC4136, 2SC4137, 2SC4138, 2SC4139, 2SC414, 2SC4140, 2SC4141