2SC4161N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC4161N  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 80 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO220F

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SC4161N

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC4161N даташит

 7.1. Size:98K  sanyo
 2sc4161.pdf pdf_icon

2SC4161N

 7.2. Size:138K  jmnic
 2sc4161.pdf pdf_icon

2SC4161N

Product Specification www.jmnic.com Silicon NPN Power Transistors 2SC4161 DESCRIPTION With TO-220F package High breakdown voltage. High reliability. Fast switching speed APPLICATIONS Switching Regulator Applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Collector 3 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-220F) and symbol Absolute maximum ratings (Ta=25 ) SYMBOL

 7.3. Size:189K  inchange semiconductor
 2sc4161.pdf pdf_icon

2SC4161N

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SC4161 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 400V(Min) (BR)CEO High Switching Speed Wide Area of Safe Operation 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for switching regulator and general purpose applications.

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC416, 2SC4160, 2SC4160L, 2SC4160M, 2SC4160N, 2SC4161, 2SC4161L, 2SC4161M, 2N4401, 2SC4162, 2SC4162L, 2SC4162M, 2SC4162N, 2SC4163, 2SC4163L, 2SC4163M, 2SC4163N