2SC4164 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2SC4164  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 160 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO220

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2SC4164

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC4164 даташит

 ..1. Size:99K  sanyo
2sc4164.pdfpdf_icon

2SC4164

 ..2. Size:189K  inchange semiconductor
2sc4164.pdfpdf_icon

2SC4164

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SC4164 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 400V(Min) (BR)CEO High Switching Speed Wide Area of Safe Operation 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for switching regulator and general purpose applications.

 8.1. Size:97K  1
2sc4167.pdfpdf_icon

2SC4164

 8.2. Size:45K  sanyo
2sc4160.pdfpdf_icon

2SC4164

Ordering number ENN2481C NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SC4160 400V/4A Switching Regulator Applications Features Package Dimensions High breakdown voltage. unit mm High reliability. 2041A Fast switching speed (tf=0.1 s typ). [2SC4160] Wide ASO. 4.5 10.0 2.8 Adoption of MBIT process. 3.2 Micaless package facilitating mounting. 2.4 1.6

Другие транзисторы: 2SC4162, 2SC4162L, 2SC4162M, 2SC4162N, 2SC4163, 2SC4163L, 2SC4163M, 2SC4163N, 2SA1015, 2SC4164L, 2SC4164M, 2SC4164N, 2SC4165, 2SC4166, 2SC4167, 2SC4168, 2SC4168-3