2N2104S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N2104S  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: TO5

  📄📄 Копировать ⓘ

 Аналоги (замена) для 2N2104S

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N2104S даташит

 9.1. Size:728K  rca
 2n2102.pdf pdf_icon

2N2104S

 9.2. Size:45K  st
 2n2102.pdf pdf_icon

2N2104S

2N2102 EPITAXIAL PLANAR NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER AND SWITCH DESCRIPTION The 2N2102 is a silicon Planar Epitaxial NPN transistor in Jedec TO-39 metal case. It is intended for a wide variety of small-signall and medium power applications in military and industrial equipments. TO-39 INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Parameter Value Unit VCBO Collec

 9.3. Size:47K  st
 2n2102 .pdf pdf_icon

2N2104S

2N2102 EPITAXIAL PLANAR NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER AND SWITCH DESCRIPTION The 2N2102 is a silicon Planar Epitaxial NPN transistor in Jedec TO-39 metal case. It is intended for a wide variety of small-signall and medium power applications in military and industrial equipments. TO-39 INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Parameter Value Unit VCBO Collec

 9.4. Size:74K  central
 2n2102-a.pdf pdf_icon

2N2104S

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2N2100A, 2N2101, 2N2102, 2N2102A, 2N2102L, 2N2102S, 2N2104, 2N2104A, 2SC828, 2N2105, 2N2106, 2N2107, 2N2108, 2N2109, 2N211, 2N2110, 2N2111