2SC4392. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC4392

Маркировка: MA

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 6500 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 90

Корпус транзистора: TO236

 Аналоги (замена) для 2SC4392

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC4392 даташит

 8.1. Size:465K  toshiba
2sc4394.pdfpdf_icon

2SC4392

2SC4394 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC4394 VHF UHF Band Low Noise Amplifier Applications Unit mm Low noise figure, high cain. NF = 1.1dB, S 2 = 11dB (f = 1 GHz) 21e Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 20 V Collector-emitter voltage VCEO 12 V Emitter-base voltage VEBO 3 V C

 8.2. Size:318K  toshiba
2sc4393.pdfpdf_icon

2SC4392

2SC4393 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC4393 VHF UHF Band Low Noise Amplifier Applications Unit mm Low noise figure. NF = 1.5dB, S 2 = 16dB (f = 500 MHz) 21e NF = 1.7dB, S 2 = 10.5dB (f = 1000 MHz) 21e Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 17 V Collector-emitter voltage

 8.3. Size:153K  sanyo
2sc4399.pdfpdf_icon

2SC4392

Ordering number EN3020 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SC4399 High-Frequency General-Purpose Amplifier Applications Features Package Dimensions High power gain PG=25dB typ (f=100MHz). unit mm Very small-sized package permitting the 2SC4399- 2059B applied sets to be made small and slim. [2SC4399] 0.3 0.15 3 0 0.1 1 2 0.3 0.6 0.65 0.65 0.9 2.0 1 Base 2

 8.4. Size:91K  sanyo
2sc4390.pdfpdf_icon

2SC4392

Ordering number EN2958A NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SC4390 High-hFE, AF Amplifier Applications Features Package Dimensions Adoption of MBIT process. unit mm High DC current gain (hFE=800 to 3200). 2038A Large current capacity (IC=2A). [2SC4390] Low collector-to-emitter saturation voltage 4.5 (VCE(sat) 0.3V). 1.5 1.6 High VEBO (VEBO 15V). 0.

Другие транзисторы: 2SC4385, 2SC4386, 2SC4387, 2SC4388, 2SC4389, 2SC439, 2SC4390, 2SC4391, A733, 2SC4393, 2SC4394, 2SC4396, 2SC4397, 2SC4398, 2SC4399, 2SC4399-3, 2SC4399-4