Справочник транзисторов. 2SC4393

 

Биполярный транзистор 2SC4393 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SC4393
   Маркировка: ME
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 17 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 5000 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: TO236
 

 Аналог (замена) для 2SC4393

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC4393 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:318K  toshiba
2sc4393.pdfpdf_icon

2SC4393

2SC4393 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC4393 VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications Unit: mm Low noise figure. NF = 1.5dB, |S |2 = 16dB (f = 500 MHz) 21e NF = 1.7dB, |S |2 = 10.5dB (f = 1000 MHz) 21eMaximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 17 VCollector-emitter voltage

 8.1. Size:465K  toshiba
2sc4394.pdfpdf_icon

2SC4393

2SC4394 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC4394 VHF~UHF Band Low Noise Amplifier Applications Unit: mm Low noise figure, high cain. NF = 1.1dB, |S |2 = 11dB (f = 1 GHz) 21eMaximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 20 VCollector-emitter voltage VCEO 12 VEmitter-base voltage VEBO 3 VC

 8.2. Size:153K  sanyo
2sc4399.pdfpdf_icon

2SC4393

Ordering number:EN3020NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SC4399High-FrequencyGeneral-Purpose Amplifier ApplicationsFeatures Package Dimensions High power gain : PG=25dB typ (f=100MHz).unit:mm Very small-sized package permitting the 2SC4399-2059Bapplied sets to be made small and slim.[2SC4399]0.30.1530~0.11 20.3 0.60.65 0.650.92.01 : Base2 :

 8.3. Size:91K  sanyo
2sc4390.pdfpdf_icon

2SC4393

Ordering number:EN2958ANPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SC4390High-hFE, AF Amplifier ApplicationsFeatures Package Dimensions Adoption of MBIT process.unit:mm High DC current gain (hFE=800 to 3200).2038A Large current capacity (IC=2A).[2SC4390] Low collector-to-emitter saturation voltage4.5(VCE(sat) 0.3V). 1.51.6 High VEBO (VEBO 15V).0.

Другие транзисторы... 2SC4386 , 2SC4387 , 2SC4388 , 2SC4389 , 2SC439 , 2SC4390 , 2SC4391 , 2SC4392 , A940 , 2SC4394 , 2SC4396 , 2SC4397 , 2SC4398 , 2SC4399 , 2SC4399-3 , 2SC4399-4 , 2SC4399-5 .

History: U2TA508 | TI423 | KT215V9

 

 
Back to Top

 


 
.