2SC4466. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC4466

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO218

 Аналоги (замена) для 2SC4466

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC4466 даташит

 ..1. Size:122K  utc
2sc4466.pdfpdf_icon

2SC4466

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SC4466 Preliminary NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED PLANAR TRANSISTOR DESCRIPTION The UTC 2SC4466 is a silicon NPN triple diffused planar transistor, it uses UTC s advanced technology to provide the customers with high DC current gain and high collector-base breakdown voltage, etc. The UTC 2SC4466 is suitable

 ..2. Size:189K  jmnic
2sc4466.pdfpdf_icon

2SC4466

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC4466 DESCRIPTION With TO-3PN package Complement to type 2SA1693 APPLICATIONS Audio and general purpose PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base Collector;connected to 2 mounting base Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol 3 Emitter Absolute maximum ratings(Ta= ) SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT

 ..3. Size:24K  sanken-ele
2sc4466.pdfpdf_icon

2SC4466

2SC4466 Silicon NPN Triple Diffused Planar Transistor (Complement to type 2SA1693) Application Audio and General Purpose External Dimensions MT-100(TO3P) Absolute maximum ratings (Ta=25 C) Electrical Characteristics (Ta=25 C) Symbol 2SC4466 Symbol Conditions 2SC4466 Unit Unit 0.2 4.8 0.4 15.6 0.1 VCBO 120 ICBO VCB=120V 10max A 9.6 2.0 V VCEO 80 IEBO VEB=6V 10max A

 ..4. Size:194K  inchange semiconductor
2sc4466.pdfpdf_icon

2SC4466

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SC4466 DESCRIPTION High Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 80V(Min) (BR)CEO Good Linearity of h FE Complement to Type 2SA1693 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for audio and general purpose applications ABSOLUTE MAX

Другие транзисторы: 2SC4452, 2SC4453, 2SC4454, 2SC4455, 2SC446, 2SC4462, 2SC4463, 2SC4464, TIP122, 2SC4467, 2SC447, 2SC4470, 2SC4471, 2SC4473, 2SC4474, 2SC4475, 2SC4476