Справочник транзисторов. 2SC4477

 

Биполярный транзистор 2SC4477 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2SC4477
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 330 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для 2SC4477

 

 

2SC4477 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:244K  toshiba
2sc4479.pdf

2SC4477
2SC4477

 8.2. Size:109K  sanyo
2sa1697 2sc4474.pdf

2SC4477
2SC4477

Ordering number:EN3018PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1697/2SC4474High-Definition CRT Display,Video Output ApplicationsApplications Package Dimensions High-definition CRT display video output, wide-bandunit:mmamplifier.2041[2SA1697/2SC4474]Features High fT : fT=300MHz. High breakdown voltage : VCEO=200V min. Small reverse transfer capacitan

 8.3. Size:122K  sanyo
2sa1696 2sc4473.pdf

2SC4477
2SC4477

Ordering number:EN3017PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1696/2SC4473High-Definition CRT Display,Video Output ApplicationsApplications Package Dimensions High-definition CRT display video output, wide-bandunit:mmamplifier.2041[2SA1696/2SC4473]Features High fT : fT=500MHz. High breakdown voltage : VCEO=120V min. Small reverse transfer capacitan

 8.4. Size:88K  sanyo
2sc4475.pdf

2SC4477
2SC4477

Ordering number:EN3338NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor2SC44751800V/3mA High-Voltage Amplifier,High-Voltage Switching ApplicationsApplications Package Dimensions High voltage amplifier.unit:mm High voltage switching.2010C Dynamic focus.[2SC4475]10.24.53.65.11.3Features High breakdown voltage (VCEO min=1800V). Small Cob (Cob typ=1.

 8.5. Size:80K  sanyo
2sc4478.pdf

2SC4477
2SC4477

 8.6. Size:93K  sanyo
2sc4476.pdf

2SC4477
2SC4477

Ordering number:EN3339NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor2SC44761800V/10mA High-Voltage Amplifier,High-Voltage Switching ApplicationsApplications Package Dimensions High voltage amplifier.unit:mm High voltage switching.2010C Dynamic focus.[2SC4476]10.24.53.65.11.3Features High breakdown voltage (VCEO min=1800V). Small Cob (Cob typ=1

 8.7. Size:182K  inchange semiconductor
2sc4478.pdf

2SC4477
2SC4477

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC4478DESCRIPTIONFast switching speedNPN epitaxial planar silicon transistor100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh deflection CRT displayHorizontal deflection output applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PAR

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top