Биполярный транзистор 2N215 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N215
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.18 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.3 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 80 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 45
Корпус транзистора: TO1
2N215 Datasheet (PDF)
0.1. Size:65K microsemi
2n2150 2n2151.pdf
2n2150 2n2151.pdf
TECHNICAL DATA NPN POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/277 Devices Qualified Level 2N2150 2N2151 JANTX MAXIMUM RATINGS (TC = 250C unless otherwise noted) Ratings Symbol Value Units Collector-Emitter Voltage 100 Vdc VCEO Collector-Base Voltage 150 Vdc VCBO Emitter-Base Voltage 8.0 Vdc VEBO Base Current I 2.0 Adc B Collector Current 2.0 Adc IC To
Другие транзисторы... 2N2145 , 2N2145A , 2N2146 , 2N2146A , 2N2147 , 2N2148 , 2N2149 , 2N214A , 2SC1815 , 2N2150 , 2N2151 , 2N2152 , 2N2152A , 2N2153 , 2N2153A , 2N2154 , 2N2154A .
