2N215 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N215  📄📄 

Тип материала: Ge

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.18 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.3 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 80 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 45

Корпус транзистора: TO1

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2N215

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N215 даташит

 ..1. Size:557K  rca
 2n215.pdf pdf_icon

2N215

 0.1. Size:65K  microsemi
 2n2150 2n2151.pdf pdf_icon

2N215

TECHNICAL DATA NPN POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/277 Devices Qualified Level 2N2150 2N2151 JANTX MAXIMUM RATINGS (TC = 250C unless otherwise noted) Ratings Symbol Value Units Collector-Emitter Voltage 100 Vdc VCEO Collector-Base Voltage 150 Vdc VCBO Emitter-Base Voltage 8.0 Vdc VEBO Base Current I 2.0 Adc B Collector Current 2.0 Adc IC To

Другие транзисторы: 2N2145, 2N2145A, 2N2146, 2N2146A, 2N2147, 2N2148, 2N2149, 2N214A, 8050, 2N2150, 2N2151, 2N2152, 2N2152A, 2N2153, 2N2153A, 2N2154, 2N2154A