2SC4934E - параметры, поиск аналогов, даташиты транзистора

Биполярный транзистор 2SC4934E - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.

   Наименование производителя: 2SC4934E
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 350 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 400
   Корпус транзистора: TO126FM

Аналоги (замена) для 2SC4934E

2SC4934E Datasheet (PDF)

8.1. Size:743K 1
2sc490 2sc491 2sc492 2sc493 2sc494 2sc495 2sc496 2sc497 2sc498 2sc499.pdf

8.2. Size:176K toshiba
2sc4935.pdf

8.3. Size:122K sanyo
2sc4931.pdf

Ordering number:EN5295ANPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SC4931VHF to UHF Wide-BandLow-Noise Amplifier ApplicationsFeatures Package Dimensions Low noise : NF=1.2dB typ (f=1GHz).unit:mm2 High gain : S21e =13dB typ (f=1GHz).2106A High cutoff frequency : fT=9.0GHz typ.[2SC4931] Very small-sized package permitting 2SC4931- 0.750.30.6applied s

8.4. Size:41K rohm
2sc4938.pdf