2N2150 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N2150  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 125 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: MT38-1

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2N2150

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N2150 даташит

 ..1. Size:65K  microsemi
 2n2150 2n2151.pdf pdf_icon

2N2150

TECHNICAL DATA NPN POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/277 Devices Qualified Level 2N2150 2N2151 JANTX MAXIMUM RATINGS (TC = 250C unless otherwise noted) Ratings Symbol Value Units Collector-Emitter Voltage 100 Vdc VCEO Collector-Base Voltage 150 Vdc VCBO Emitter-Base Voltage 8.0 Vdc VEBO Base Current I 2.0 Adc B Collector Current 2.0 Adc IC To

 9.1. Size:557K  rca
 2n215.pdf pdf_icon

2N2150

Другие транзисторы: 2N2145A, 2N2146, 2N2146A, 2N2147, 2N2148, 2N2149, 2N214A, 2N215, BC558, 2N2151, 2N2152, 2N2152A, 2N2153, 2N2153A, 2N2154, 2N2154A, 2N2155