Справочник транзисторов. 2SC497O

 

Биполярный транзистор 2SC497O Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SC497O
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
   Корпус транзистора: TO39
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2SC497O Datasheet (PDF)

 8.1. Size:743K  1
 2sc490 2sc491 2sc492 2sc493 2sc494 2sc495 2sc496 2sc497 2sc498 2sc499.pdf pdf_icon

2SC497O

 8.2. Size:31K  sanyo
 2sa1875 2sc4976.pdf pdf_icon

2SC497O

Ordering number : ENN5507B2SA1875 / 2SC4976PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA1875 / 2SC4976High-Definition CRT DisplayVideo Output ApplicationsFeatures Package Dimensions High fT : fT=400MHz(typ). unit : mm High breakdown voltage : VCEO200V(min). 2045B Large current capacitance.[2SA1875 / 2SC4976] Small reverse transfer capacitance and excelle

 8.3. Size:1227K  kexin
 2sc4976.pdf pdf_icon

2SC497O

SMD Type TransistorsNPN Transistors2SC4976TO-252Unit: mm+0.156.50-0.15+0.12.30 -0.1+0.25.30-0.2 +0.80.50 -0.7 Features High fT : fT=400MHz(typ). High breakdown voltage Large current capacitance. 0.127+0.10.80-0.1max Complementary to 2SA1875+ 0.11 Base2.3 0.60- 0.1+0.154.60 -0.152 Collector3 Emitter Absolute Maximum Rati

 8.4. Size:200K  inchange semiconductor
 2sc4977.pdf pdf_icon

2SC497O

INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc Silicon NPN Power Transistor 2SC4977 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= 400V(Min) Fast Switching Speed Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 0.8V(Max.)@ IC= 4.0A APPLICATIONS Designed for use in high-voltage, high-speed , power switching in inductive circuit , they are parti

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

History: 2SD729H | 2SD667A-D | 121-1029-01 | 2SD780DW4 | 2SC496R | 2SD703 | 2SC4880

 

 
Back to Top

 


 
.