Биполярный транзистор 2N2152 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N2152
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 170 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 20 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 110 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.1 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
Корпус транзистора: TO36
2N2152 Datasheet (PDF)
2n2150 2n2151.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
TECHNICAL DATA NPN POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/277 Devices Qualified Level 2N2150 2N2151 JANTX MAXIMUM RATINGS (TC = 250C unless otherwise noted) Ratings Symbol Value Units Collector-Emitter Voltage 100 Vdc VCEO Collector-Base Voltage 150 Vdc VCBO Emitter-Base Voltage 8.0 Vdc VEBO Base Current I 2.0 Adc B Collector Current 2.0 Adc IC To
Другие транзисторы... 2N2146A , 2N2147 , 2N2148 , 2N2149 , 2N214A , 2N215 , 2N2150 , 2N2151 , 2SC1815 , 2N2152A , 2N2153 , 2N2153A , 2N2154 , 2N2154A , 2N2155 , 2N2155A , 2N2156 .