2SC5027 - описание и поиск аналогов

 

2SC5027. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC5027

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 35 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO220

 Аналоги (замена) для 2SC5027

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC5027 даташит

 ..1. Size:241K  toshiba
 2sc5027.pdf pdf_icon

2SC5027

 ..2. Size:49K  utc
 2sc5027.pdf pdf_icon

2SC5027

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SC5027 NPN SILICON TRANSISTOR HIGH VOLTAGE AND HIGH RELIABILITY . 1 FEATURES TO-220 * High Voltage (VCEO = 800V) * High Speed Switching * Wide SOA 1 TO-220F *Pb-free plating product number 2SC5027L ORDERING INFORMATION Order Number Pin Assignment Package Packing Normal Lead Free Plating 1 2 3 2SC5027-x-TA3-T 2SC5027L-x-TA3-T TO-

 ..3. Size:405K  cn sptech
 2sc5027.pdf pdf_icon

2SC5027

 ..4. Size:213K  inchange semiconductor
 2sc5027.pdf pdf_icon

2SC5027

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC5027 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 800V(Min) (BR)CEO High Switching Speed Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Voltage 1100 V CBO V Collector-Emitter Voltage 800 V CEO V Emitter-Base Volt

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC5025, 2SC5025O, 2SC5025R, 2SC5025Y, 2SC5026, 2SC5026N, 2SC5026O, 2SC5026R, TIP2955, 2SC5027N, 2SC5027O, 2SC5027R, 2SC5028, 2SC5028N, 2SC5028O, 2SC5028R, 2SC5029

 

 

 

 

↑ Back to Top
.