Справочник транзисторов. 2SC5031

 

Биполярный транзистор 2SC5031 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SC5031
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 140 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1100 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 35 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO218
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2SC5031 Datasheet (PDF)

 8.2. Size:211K  toshiba
2sc5030.pdfpdf_icon

2SC5031

 8.3. Size:60K  panasonic
2sc5036.pdfpdf_icon

2SC5031

Power Transistors2SC5036, 2SC5036ASilicon NPN triple diffusion planar typeFor high breakdown voltage high-speed switchingUnit: mm4.6 0.2Features9.9 0.3 2.9 0.2High-speed switching 3.2 0.1High collector to base voltage VCBOWide area of safe operation (ASO)Satisfactory linearity of foward current transfer ratio hFEFull-pack package with outstanding insulation,

 8.4. Size:59K  panasonic
2sc5034.pdfpdf_icon

2SC5031

Power Transistors2SC5034Silicon NPN triple diffusion planar typeFor high breakdown voltage high-speed switchingUnit: mm4.6 0.29.9 0.3 2.9 0.2Features 3.2 0.1High collector to emitter VCEOHigh-speed switchingFull-pack package with outstanding insulation, which can be in-stalled to the heat sink with one screw2.6 0.11.2 0.151.45 0.15 0.7 0.1Absol

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

History: 2SD669AC | 2SD667A-D | 2SD716O | 2SD613C | 2SC496R | PBRN113ZS | CSC2690Y

 

 
Back to Top

 


 
.