Биполярный транзистор 2N2155 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N2155
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 170 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 90 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 75 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 25 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 110 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.1 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Корпус транзистора: TO36
2N2155 Datasheet (PDF)
9.2. Size:65K microsemi
2n2150 2n2151.pdf
2n2150 2n2151.pdf
TECHNICAL DATA NPN POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/277 Devices Qualified Level 2N2150 2N2151 JANTX MAXIMUM RATINGS (TC = 250C unless otherwise noted) Ratings Symbol Value Units Collector-Emitter Voltage 100 Vdc VCEO Collector-Base Voltage 150 Vdc VCBO Emitter-Base Voltage 8.0 Vdc VEBO Base Current I 2.0 Adc B Collector Current 2.0 Adc IC To
Другие транзисторы... 2N2150 , 2N2151 , 2N2152 , 2N2152A , 2N2153 , 2N2153A , 2N2154 , 2N2154A , 2SC2625 , 2N2155A , 2N2156 , 2N2156A , 2N2157 , 2N2157A , 2N2158 , 2N2158A , 2N2159 .
History: 2N1634
