2SC511 - описание и поиск аналогов

 

2SC511. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC511

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 40 max pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO39

 Аналоги (замена) для 2SC511

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC511 даташит

 0.1. Size:132K  toshiba
2sc5111ft.pdfpdf_icon

2SC511

2SC5111FT TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC5111FT For VCO Application Unit mm Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 20 V Collector-emitter voltage VCEO 10 V Emitter-base voltage VEBO 3 V Base current IB 30 mA Collector current IC 60 mA Collector power dissipation PC 100 mW Junction tempera

 0.2. Size:245K  toshiba
2sc5111.pdfpdf_icon

2SC511

2SC5111 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Planar Type 2SC5111 For VCO Application Unit mm Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 20 V Collector-emitter voltage VCEO 10 V Emitter-base voltage VEBO 3 V Base current IB 30 mA Collector current IC 60 mA Collector power dissipation PC 100 mW Junction temperature

Другие транзисторы: 2SC509O, 2SC509Y, 2SC51, 2SC510, 2SC5105, 2SC510M, 2SC510O, 2SC510R, S8550, 2SC511O, 2SC511R, 2SC512, 2SC5120, 2SC512O, 2SC512R, 2SC513, 2SC5130

 

 

 

 

↑ Back to Top
.