2SC512. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC512

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 30

Корпус транзистора: TO39

 Аналоги (замена) для 2SC512

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC512 даташит

 ..1. Size:120K  1
2sc510 2sc512.pdfpdf_icon

2SC512

 0.1. Size:210K  toshiba
2sc5129.pdfpdf_icon

2SC512

 0.2. Size:171K  toshiba
2sc5122.pdfpdf_icon

2SC512

 0.3. Size:59K  panasonic
2sc5128.pdfpdf_icon

2SC512

Power Transistors 2SC5128 Silicon NPN triple diffusion planar type For high breakdown voltage high-speed switching Unit mm 4.6 0.2 9.9 0.3 2.9 0.2 Features 3.2 0.1 High-speed switching High collector to base voltage VCBO Wide area of safe operation (ASO) Full-pack package with outstanding insulation, which can be in- 2.6 0.1 stalled to the heat sink with one screw

Другие транзисторы: 2SC510, 2SC5105, 2SC510M, 2SC510O, 2SC510R, 2SC511, 2SC511O, 2SC511R, 2SC1815, 2SC5120, 2SC512O, 2SC512R, 2SC513, 2SC5130, 2SC5132A, 2SC513O, 2SC513R