2SC516N. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC516N

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 25 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 50 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO66

 Аналоги (замена) для 2SC516N

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC516N даташит

 8.1. Size:74K  rohm
 2sc5161.pdf pdf_icon

2SC516N

2SC5161 Transistors High-Voltage Switching Transistor (400V, 2A) 2SC5161 External dimensions (Units mm) Features 1) Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.15V (Typ.) 2.3+0.2 6.5 0.2 -0.1 C0.5 (Ic / IB =1A / 0.2A) 5.1+0.2 0.5 0.1 -0.1 2) High breakdown voltage. BVCEO = 400V 3) Fast switching. 0.65 0.1 0.75 tf 1.0 s (Ic = 0.8A) 0.9 0.5 0.1 2.3 0.2 2.3 0.2 1.0 0.2 S

 8.2. Size:120K  isahaya
 2sc5168.pdf pdf_icon

2SC516N

 8.3. Size:113K  isahaya
 2sc5169.pdf pdf_icon

2SC516N

 8.4. Size:182K  tysemi
 2sc5161.pdf pdf_icon

2SC516N

SMD Type Transistors SMD Type Transistors SMD Type Transistors SMD Type Transistors SMD Type Transistors SMD Type Transistors SMD Type Transistors Product specification 2SC5161 TO-252 Unit mm +0.15 +0.1 6.50-0.15 2.30-0.1 +0.2 +0.8 Features 5.30-0.2 0.50-0.7 Low VCE(sat). VCE(sat) = 0.15V (Typ.),IC / IB =1A/ 0.2A High breakdown voltage.VCEO =400V 0.127 +0.1 max 0.80-0.1 F

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC5132A, 2SC513O, 2SC513R, 2SC514, 2SC515, 2SC515A, 2SC516, 2SC516A, 2SC2625, 2SC517, 2SC518, 2SC518A, 2SC519, 2SC519A, 2SC519M, 2SC52, 2SC520