Биполярный транзистор 2N2159 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2N2159
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 170 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 90 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 75 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 40 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 110 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.1 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 80
Корпус транзистора: TO36
2N2159 Datasheet (PDF)
9.2. Size:65K microsemi
2n2150 2n2151.pdf
2n2150 2n2151.pdf
TECHNICAL DATA NPN POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/277 Devices Qualified Level 2N2150 2N2151 JANTX MAXIMUM RATINGS (TC = 250C unless otherwise noted) Ratings Symbol Value Units Collector-Emitter Voltage 100 Vdc VCEO Collector-Base Voltage 150 Vdc VCBO Emitter-Base Voltage 8.0 Vdc VEBO Base Current I 2.0 Adc B Collector Current 2.0 Adc IC To
Другие транзисторы... 2N2155 , 2N2155A , 2N2156 , 2N2156A , 2N2157 , 2N2157A , 2N2158 , 2N2158A , 2SC945 , 2N2159A , 2N216 , 2N2161 , 2N2162 , 2N2163 , 2N2164 , 2N2165 , 2N2166 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050