2SC534. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC534

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 115 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 2SC534

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC534 даташит

 0.1. Size:114K  sanyo
2sc5347.pdfpdf_icon

2SC534

Ordering number EN5512A NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor 2SC5347 High-Frequency Semi-Power Output Stage, Low-Noise Medium Output Amplifiers Applications Features Package Dimensions High frequency medium output amplification unit mm (VCE=5V, IC=50mA) 2038A fT=4.7GHz typ (f=1GHz). [2SC5347] 2 S21e =8dB typ (f=1GHz). 4.5 NF=1.8dB typ (f=1GHz). 1.5 1.6 0.4 0

 0.2. Size:67K  sanyo
2sc5347a.pdfpdf_icon

2SC534

Ordering number ENA1087 2SC5347A SANYO Semiconductors DATA SHEET NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Frequency Semi-Power Output Stage, 2SC5347A Low-Noise Medium Output Amplifier Applications Features High-frequency medium output amplification (VCE=5V, IC=50mA) fT=4.7GHz typ (f=1GHz). S21e 2=8dB typ (f=1GHz). NF=1.8dB typ (f=1GHz). Specifications Absolute

 0.3. Size:201K  onsemi
2sc5347ae 2sc5347af.pdfpdf_icon

2SC534

Ordering number ENA1087A 2SC5347A RF Transistor http //onsemi.com 12V, 150mA, fT=4.7GHz, NPN Single PCP Features High-frequency medium output amplification (VCE=5V, IC=50mA) fT=4.7GHz typ (f=1GHz) S21e =8dB typ (f=1GHz) 2 NF=1.8dB typ (f=1GHz) Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25 C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Collector-to-Base Voltag

 0.4. Size:41K  panasonic
2sc5346 e.pdfpdf_icon

2SC534

Transistor 2SC5346 Silicon NPN epitaxial planer type For low-frequency high breakdown voltage amplification Unit mm Complementary to 2SA1982 2.5 0.1 1.05 6.9 0.1 0.05 (1.45) 0.7 4.0 0.8 Features Satisfactory linearity of forward current transfer ratio hFE. High collector to emitter voltage VCEO. 0.65 max. Small collector output capacitance Cob. +0.1 Absolute Maximum Rat

Другие транзисторы: 2SC53, 2SC530, 2SC530A, 2SC531, 2SC531A, 2SC532, 2SC533, 2SC5333, C945, 2SC535, 2SC535P, 2SC536, 2SC536KNP, 2SC536NP, 2SC536P, 2SC536SP, 2SC537