Справочник транзисторов. 2SC534

 

Биполярный транзистор 2SC534 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SC534
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 115 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
   Корпус транзистора: TO92
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2SC534 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:114K  sanyo
2sc5347.pdfpdf_icon

2SC534

Ordering number:EN5512ANPN Epitaxial Planar Silicon Transistor2SC5347High-Frequency Semi-Power Output Stage,Low-Noise Medium Output Amplifiers ApplicationsFeatures Package Dimensions High frequency medium output amplificationunit:mm(VCE=5V, IC=50mA)2038A: fT=4.7GHz typ (f=1GHz).[2SC5347]2: S21e =8dB typ (f=1GHz).4.5: NF=1.8dB typ (f=1GHz). 1.51.60.4 0

 0.2. Size:67K  sanyo
2sc5347a.pdfpdf_icon

2SC534

Ordering number : ENA1087 2SC5347ASANYO SemiconductorsDATA SHEETNPN Epitaxial Planar Silicon TransistorHigh-Frequency Semi-Power Output Stage,2SC5347ALow-Noise Medium Output Amplifier ApplicationsFeatures High-frequency medium output amplification(VCE=5V, IC=50mA): fT=4.7GHz typ (f=1GHz).:S21e2=8dB typ (f=1GHz).: NF=1.8dB typ (f=1GHz).SpecificationsAbsolute

 0.3. Size:201K  onsemi
2sc5347ae 2sc5347af.pdfpdf_icon

2SC534

Ordering number : ENA1087A2SC5347ARF Transistorhttp://onsemi.com12V, 150mA, fT=4.7GHz, NPN Single PCPFeatures High-frequency medium output amplification (VCE=5V, IC=50mA) : fT=4.7GHz typ (f=1GHz) : S21e =8dB typ (f=1GHz) 2 : NF=1.8dB typ (f=1GHz)SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol Conditions Ratings UnitCollector-to-Base Voltag

 0.4. Size:41K  panasonic
2sc5346 e.pdfpdf_icon

2SC534

Transistor2SC5346Silicon NPN epitaxial planer typeFor low-frequency high breakdown voltage amplificationUnit: mmComplementary to 2SA19822.5 0.11.056.9 0.1 0.05 (1.45)0.7 4.0 0.8FeaturesSatisfactory linearity of forward current transfer ratio hFE.High collector to emitter voltage VCEO.0.65 max.Small collector output capacitance Cob.+0.1 Absolute Maximum Rat

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

History: TSB146 | FXT553SM | RCA1C05 | ST4044 | 2N363 | STN3906 | AC404

 

 
Back to Top

 


 
.