2SC542. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC542

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 12

Корпус транзистора: TO31

 Аналоги (замена) для 2SC542

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC542 даташит

 0.1. Size:322K  toshiba
2sc5421.pdfpdf_icon

2SC542

2SC5421 TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE 2SC5421 HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR HIGH Unit mm RESOLUTION DISPLAY, COLOR TV HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS High Voltage VCBO = 1500 V Low Saturation Voltage V = 3 V (Max.) CE (sat) MAXIMUM RATINGS (Tc = 25 C) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT Collector-Base Voltage VCBO 1500 V Collecto

 0.2. Size:316K  toshiba
2sc5422.pdfpdf_icon

2SC542

2SC5422 TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE 2SC5422 HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR HIGH Unit mm RESOLUTION DISPLAY, COLOR TV HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS High Voltage VCBO = 1700 V Low Saturation Voltage V = 3 V (Max.) CE (sat) High Speed t = 0.15 s (Typ.) f MAXIMUM RATINGS (Tc = 25 C) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNIT Coll

 0.3. Size:69K  sanyo
2sc5420.pdfpdf_icon

2SC542

Ordering number EN5762 NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SC5420 Inverter Lighting Applications Features Package Dimensions High breakdown voltage (VCBO=1000V). unit mm High reliability (Adoption of HVP process). 2069B Adoption of MBIT process. [2SC5420] 10.2 4.5 1.3 1 2 3 0 to 0.3 0.8 1.2 0.4 2.55 2.55 1 Base 2 Collector 3 Emitter SANYO SM

 0.4. Size:30K  panasonic
2sc5423.pdfpdf_icon

2SC542

Power Transistors 2SC5423 Silicon NPN triple diffusion mesa type For horizontal deflection output Unit mm 15.5 0.5 3.0 0.3 3.2 0.1 Features 5 5 High breakdown voltage, and high reliability through the use of a glass passivation layer High-speed switching 5 Wide area of safe operation (ASO) 5 4.0 5 2.0 0.2 1.1 0.1 Absolute Maximum Ratings (TC=25 C) 0.

Другие транзисторы: 2SC537P, 2SC538, 2SC538A, 2SC539, 2SC539Z, 2SC54, 2SC540, 2SC541, A1941, 2SC543, 2SC544, 2SC545, 2SC546, 2SC547, 2SC547D, 2SC548, 2SC549