Справочник транзисторов. 2SC542

 

Биполярный транзистор 2SC542 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SC542
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 12
   Корпус транзистора: TO31
 

 Аналог (замена) для 2SC542

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC542 Datasheet (PDF)

 0.1. Size:322K  toshiba
2sc5421.pdfpdf_icon

2SC542

2SC5421 TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE 2SC5421 HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR HIGH Unit: mm RESOLUTION DISPLAY, COLOR TV HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS High Voltage : VCBO = 1500 V Low Saturation Voltage : V = 3 V (Max.) CE (sat)MAXIMUM RATINGS (Tc = 25C) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITCollector-Base Voltage VCBO 1500 VCollecto

 0.2. Size:316K  toshiba
2sc5422.pdfpdf_icon

2SC542

2SC5422 TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE 2SC5422 HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR HIGH Unit: mm RESOLUTION DISPLAY, COLOR TV HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS High Voltage : VCBO = 1700 V Low Saturation Voltage : V = 3 V (Max.) CE (sat) High Speed : t = 0.15 s (Typ.) fMAXIMUM RATINGS (Tc = 25C) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITColl

 0.3. Size:69K  sanyo
2sc5420.pdfpdf_icon

2SC542

Ordering number:EN5762NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor2SC5420Inverter Lighting ApplicationsFeatures Package Dimensions High breakdown voltage (VCBO=1000V).unit:mm High reliability (Adoption of HVP process).2069B Adoption of MBIT process.[2SC5420]10.24.51.31 2 30 to 0.30.81.20.42.55 2.551 : Base2 : Collector3 : EmitterSANYO : SM

 0.4. Size:30K  panasonic
2sc5423.pdfpdf_icon

2SC542

Power Transistors2SC5423Silicon NPN triple diffusion mesa typeFor horizontal deflection outputUnit: mm15.5 0.5 3.0 0.3 3.2 0.1Features5 5High breakdown voltage, and high reliability through the use of aglass passivation layerHigh-speed switching5Wide area of safe operation (ASO)54.052.0 0.21.1 0.1Absolute Maximum Ratings (TC=25C)0.

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

History: 2N3808DCSM

 

 
Back to Top

 


 
.