Биполярный транзистор 2SC542 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: 2SC542
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 12
Корпус транзистора: TO31
Аналог (замена) для 2SC542
2SC542 Datasheet (PDF)
2sc5421.pdf

2SC5421 TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE 2SC5421 HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR HIGH Unit: mm RESOLUTION DISPLAY, COLOR TV HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS High Voltage : VCBO = 1500 V Low Saturation Voltage : V = 3 V (Max.) CE (sat)MAXIMUM RATINGS (Tc = 25C) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITCollector-Base Voltage VCBO 1500 VCollecto
2sc5422.pdf

2SC5422 TOSHIBA TRANSISTOR SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE 2SC5422 HORIZONTAL DEFLECTION OUTPUT FOR HIGH Unit: mm RESOLUTION DISPLAY, COLOR TV HIGH SPEED SWITCHING APPLICATIONS High Voltage : VCBO = 1700 V Low Saturation Voltage : V = 3 V (Max.) CE (sat) High Speed : t = 0.15 s (Typ.) fMAXIMUM RATINGS (Tc = 25C) CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UNITColl
2sc5420.pdf

Ordering number:EN5762NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor2SC5420Inverter Lighting ApplicationsFeatures Package Dimensions High breakdown voltage (VCBO=1000V).unit:mm High reliability (Adoption of HVP process).2069B Adoption of MBIT process.[2SC5420]10.24.51.31 2 30 to 0.30.81.20.42.55 2.551 : Base2 : Collector3 : EmitterSANYO : SM
2sc5423.pdf

Power Transistors2SC5423Silicon NPN triple diffusion mesa typeFor horizontal deflection outputUnit: mm15.5 0.5 3.0 0.3 3.2 0.1Features5 5High breakdown voltage, and high reliability through the use of aglass passivation layerHigh-speed switching5Wide area of safe operation (ASO)54.052.0 0.21.1 0.1Absolute Maximum Ratings (TC=25C)0.
Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .
History: 2N3808DCSM
History: 2N3808DCSM



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
transistor bc547 datasheet | bc109c | d331 transistor | irfbc40 | mp16b transistor | 2sa934 | 2sd118 | 2n3403