2SC586. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC586

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 27 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 2SC586

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC586 даташит

 0.1. Size:929K  rohm
 2sc5868.pdf pdf_icon

2SC586

Medium power transistor (60V, 0.5A) 2SC5868 Features Dimensions (Unit mm) 1) High speed switching. TSMT3 2.8 (Tf Typ. 80ns at IC = 500mA) 1.6 2) Low saturation voltage, typically (Typ. 75mV at IC = 100mA, IB = 10mA) 3) Strong discharge power for inductive load and capacitance load. 4) Complements the 2SA2090 (1) Base (2) Emitter 0.3 0.6 Each lead has sam

 0.2. Size:931K  rohm
 2sc5865.pdf pdf_icon

2SC586

High voltage discharge, High speed switching, Low Noise (60V, 1A) 2SC5865 Features Dimensions (Unit mm) 1) High speed switching. ( Tf Typ. 50ns at IC = 1.0A) TSMT3 1.0MAX 2) Low saturation voltage, typically. 2.9 0.85 (Typ. 200mV at IC = 500mA, IB = 50mA) 0.4 0.7 3) Strong discharge power for inductive load and ( ) 3 capacitance load. 4) Low Noise. 5) Co

 0.3. Size:1470K  rohm
 2sc5866.pdf pdf_icon

2SC586

2SC5866 Datasheet Medium power transistor (60V, 2A) lOutline l Parameter Value TSMT3 VCEO 60V IC 2A SOT-346T SC-96 lFeatures l 1)High speed switching. lInner circuit l (tf Typ. 35ns at IC=2A) 2)Low saturation voltage, typically (Typ. 200mV at IC=1.0A, IB=100mA) 3)Storong discharge power for indu

 0.4. Size:83K  panasonic
 2sc5863.pdf pdf_icon

2SC586

Transistors 2SC5863 Silicon NPN epitaxial planar type Unit mm For general amplification 0.40+0.10 0.05 0.16+0.10 0.06 3 Features High collector-emitter voltage (Base open) VCEO 1 2 High transition frequency fT (0.95) (0.95) 1.9 0.1 2.90+0.20 0.05 Absolute Maximum Ratings Ta = 25 C 10 Parameter Symbol Rating Unit Collector-base voltage (Emitter

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC580, 2SC581, 2SC582, 2SC582A, 2SC583, 2SC583Z, 2SC584, 2SC585, MPSA42, 2SC587, 2SC587A, 2SC587M, 2SC588, 2SC589, 2SC589N, 2SC58A, 2SC59