Биполярный транзистор 2SC588 Даташит. Аналоги
Наименование производителя: 2SC588
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: TO5
- подбор биполярного транзистора по параметрам
2SC588 Datasheet (PDF)
2sc5886a.pdf

2SC5886A TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC5886A High-Speed Switching Applications Unit: mmDC/DC Converter Applications High DC current gain: hFE = 400 to 1000 (IC = 0.5 A) Low collector-emitter saturation: VCE (sat) = 0.22 V (max) High-speed switching: tf = 95 ns (typ.) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristic Symbol Rating UnitColl
2sc5886.pdf

2SC5886 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC5886 High-Speed Swtching Applications Unit: mm DC-DC Converter Applications High DC current gain: h = 400 to 1000 (I = 0.5 A) FE C Low collector-emitter saturation: V = 0.22 V (max) CE (sat) High-speed switching: t = 55 ns (typ.) fMaximum Ratings (Ta = 25C) Characteristics Symbol Rating UnitCollect
2sa2099 2sc5888.pdf

Ordering number : EN7331A2SA2099 / 2SC5888SANYO SemiconductorsDATA SHEETPNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA2099 / 2SC5888High-Current Switching ApplicationsApplications Relay drivers, lamp drivers, motor drivers.Features Adoption of MBIT process. High current capacitance. Low collector-to-emitter saturation voltage. High-speed switching.S
2sc5888.pdf

Ordering number : ENN73312SA2099 / 2SC5888PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SA2099 / 2SC5888High-Current Switching ApplicationsApplicationsPackage Dimensions Relay drivers, lamp drivers, motor drivers.unit : mm2041AFeatures[2SA2099 / 2SC5888] Adoption of MBIT processes.4.510.02.8 Large current capacitance.3.2 Low collector-to-emitter
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: NB313L | ECG129P | DTDG14GP | 2SD1772A | 2N5834 | MPSH08 | BDC04
History: NB313L | ECG129P | DTDG14GP | 2SD1772A | 2N5834 | MPSH08 | BDC04



Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
d718 datasheet | mp38 transistor | 2sc2389 | b331 transistor | 2sa720 | 2sc1345 | 2sd555 | a950 transistor