Биполярный транзистор 2SC594Y - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC594Y
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 5 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
Корпус транзистора: TO39
2SC594Y Datasheet (PDF)
2sc5949.pdf
2SC5949 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type 2SC5949 Power Amplifier Applications Unit: mm PC = 220W Complementary to 2SA2121 Maximum Ratings (Tc = 25C) Characteristic Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 200 VCollector-emitter voltage VCEO 200 VEmitter-base voltage VEBO 5 VCollector current IC 15 ABase current IB 1.5 ACollector powe
2sc5948.pdf
2SC5948 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Triple Diffused Type 2SC5948 Power Amplifier Applications Unit: mm Complementary to 2SA2120 Recommended for audio frequency amplifier output stage. Absolute Maximum Ratings (Tc = 25C) Characteristic Symbol Rating UnitVCBOCollector-base voltage 200 V VCEOCollector-emitter voltage 200 V VEBOEmitter-base voltage 5 V Coll
2sc5945.pdf
2SC5945 Si NPN Epitaxial High Frequency Medium Power Amplifier REJ03G0443-0300 Rev.3.00 Aug 03, 2006 Features Excellent Linearity P1dB at output = +26 dBm typ. f = 2.4 GHz High Collector to Emitter Voltage VCEO = 5 V Ideal for 2 GHz Band applications. e.g 2.4 GHz WLAN, Digital cordless phone. 7 Pin, Lead less, Small mounting area (HWSON-6: 2.0 x 2.0 x 0.8
2sc5946.pdf
2SC5946NPN Unit : mm0.33+0.05 0.10+0.050.02 0.023 fT SSS 0.23+0.05 1 20.02(0.40)(0.40)0.800.
2sc5949.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC5949DESCRIPTIONHigh Current CapabilityHigh Power DissipationHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 200V(Min)(BR)CEOComplement to Type 2SA2121100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower amplifier applicationsReco
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050