Биполярный транзистор 2SC608T - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SC608T
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 75 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 35 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: TO37-1
2SC608T Datasheet (PDF)
2sc6087.pdf
2SC6087 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC6087 Power Amplifier Applications Unit: mmPower Switching Applications Low collector emitter saturation voltage : VCE (sat) = 0.5 V (max)IC = 1A High-speed switching: tstg = 0.4 s (typ) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25C) Characteristic Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 160 VVCEX 160 VColle
2sc6089.pdf
Ordering number : ENA0995 2SC6089SANYO SemiconductorsDATA SHEETNPN Triple Diffused Planar Silicon TransistorColor TV Horizontal Deflection2SC6089Output ApplicationsFeatures High speed. High breakdown voltage (VCBO=1500V). Adoption of high reliability HVP process. Adoption of MBIT process.SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta=25CParameter Symbol C
2sc6082.pdf
Ordering number : ENA0279 2SC6082SANYO SemiconductorsDATA SHEETNPN Epitaxial Planar Silicon Transistor50V / 15A High-Speed Switching Ap-2SC6082plicationsApplications High-speed switching applications (switching regulator, driver circuit).Features Adoption of MBIT process. Large current capacitance. Low collector-to-emitter saturation voltage. High-speed
2sc6082.pdf
Ordering number : ENA0279B2SC6082Bipolar Transistorhttp://onsemi.com( )50V, 15A, Low VCE sat NPN TO-220F-3SGApplications High-speed switching applications (switching regulator, driver circuit)Features Adoption of MBIT process Large current capacitance Low collector-to-emitter saturation voltage High-speed switchingSpecificationsAbsolute Maximum Ratin
2sc6082 .pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC6082DESCRIPTIONLarge current capacitanceHigh speed switchingLow saturation voltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh speed switching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 60 VCB
2sc6082.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC6082DESCRIPTIONLarge current capacitanceHigh speed switchingLow saturation voltageMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSHigh speed switching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Collector-Base Voltage 60 VCB
Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050