2SC635. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC635

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 65 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 225 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 25

Корпус транзистора: TO62

 Аналоги (замена) для 2SC635

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC635 даташит

 9.1. Size:88K  sony
 2sc633sp 2sc634sp.pdf pdf_icon

2SC635

Другие транзисторы: 2SC631A, 2SC631AS, 2SC632, 2SC632A, 2SC633SP, 2SC633A, 2SC634SP, 2SC634A, NJW0281G, 2SC636, 2SC637, 2SC638, 2SC639, 2SC64, 2SC640, 2SC641, 2SC641H