Справочник транзисторов. 2SC643A

 

Биполярный транзистор 2SC643A Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SC643A
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1.5 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 190 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5
   Корпус транзистора: TO3
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

2SC643A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:144K  jmnic
2sc643a.pdfpdf_icon

2SC643A

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC643A DESCRIPTION With TO-3 package High voltage,high reliability Low collector saturation voltage APPLICATIONS For color TV horizontal output applications PINNING(see fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 CollectorAbsolute maximum ratings(Ta=) SYMB

 ..2. Size:115K  inchange semiconductor
2sc643a.pdfpdf_icon

2SC643A

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC643A DESCRIPTION With TO-3 package High voltage,high reliability Low collector saturation voltage APPLICATIONS For color TV horizontal output applications PINNING(see fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 CollectorAbsolute maximum ratin

 8.1. Size:144K  jmnic
2sc643.pdfpdf_icon

2SC643A

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC643 DESCRIPTION With TO-3 package High voltage,high reliability Low collector saturation voltage APPLICATIONS For color TV horizontal output applications PINNING(see fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 CollectorAbsolute maximum ratings(Ta=) SYMBO

 8.2. Size:177K  inchange semiconductor
2sc643.pdfpdf_icon

2SC643A

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC643DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 800V (Min)(BR)CEOHigh Switching SpeedWide Area of Safe OperationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high speed switching and horizontal deflectionoutput applications.ABSOLU

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: DTC115EEB | 2SD882SQ-E

 

 
Back to Top

 


 
.