2SC643A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC643A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1.5 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 190 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 5

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 2SC643A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC643A даташит

 ..1. Size:144K  jmnic
2sc643a.pdfpdf_icon

2SC643A

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC643A DESCRIPTION With TO-3 package High voltage,high reliability Low collector saturation voltage APPLICATIONS For color TV horizontal output applications PINNING(see fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 Collector Absolute maximum ratings(Ta= ) SYMB

 ..2. Size:115K  inchange semiconductor
2sc643a.pdfpdf_icon

2SC643A

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC643A DESCRIPTION With TO-3 package High voltage,high reliability Low collector saturation voltage APPLICATIONS For color TV horizontal output applications PINNING(see fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 Collector Absolute maximum ratin

 8.1. Size:144K  jmnic
2sc643.pdfpdf_icon

2SC643A

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC643 DESCRIPTION With TO-3 package High voltage,high reliability Low collector saturation voltage APPLICATIONS For color TV horizontal output applications PINNING(see fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 Collector Absolute maximum ratings(Ta= ) SYMBO

 8.2. Size:177K  inchange semiconductor
2sc643.pdfpdf_icon

2SC643A

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Power Transistor 2SC643 DESCRIPTION High Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 800V (Min) (BR)CEO High Switching Speed Wide Area of Safe Operation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for high speed switching and horizontal deflection output applications. ABSOLU

Другие транзисторы: 2SC64, 2SC640, 2SC641, 2SC641H, 2SC641K, 2SC642, 2SC642A, 2SC643, 2N2907, 2SC644, 2SC645, 2SC645Z, 2SC646, 2SC647, 2SC647P, 2SC648, 2SC648H