Справочник транзисторов. 2SC648H

 

Биполярный транзистор 2SC648H - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2SC648H
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 175 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160
   Корпус транзистора: TO18

 Аналоги (замена) для 2SC648H

 

 

2SC648H Datasheet (PDF)

 9.1. Size:626K  hitachi
2sc641.pdf

2SC648H
2SC648H

 9.2. Size:144K  jmnic
2sc643a.pdf

2SC648H
2SC648H

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC643A DESCRIPTION With TO-3 package High voltage,high reliability Low collector saturation voltage APPLICATIONS For color TV horizontal output applications PINNING(see fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 CollectorAbsolute maximum ratings(Ta=) SYMB

 9.3. Size:144K  jmnic
2sc643.pdf

2SC648H
2SC648H

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC643 DESCRIPTION With TO-3 package High voltage,high reliability Low collector saturation voltage APPLICATIONS For color TV horizontal output applications PINNING(see fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 CollectorAbsolute maximum ratings(Ta=) SYMBO

 9.4. Size:115K  inchange semiconductor
2sc643a.pdf

2SC648H
2SC648H

Inchange Semiconductor Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC643A DESCRIPTION With TO-3 package High voltage,high reliability Low collector saturation voltage APPLICATIONS For color TV horizontal output applications PINNING(see fig.2) PIN DESCRIPTION1 Base 2 EmitterFig.1 simplified outline (TO-3) and symbol 3 CollectorAbsolute maximum ratin

 9.5. Size:177K  inchange semiconductor
2sc643.pdf

2SC648H
2SC648H

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Power Transistor 2SC643DESCRIPTIONHigh Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V = 800V (Min)(BR)CEOHigh Switching SpeedWide Area of Safe OperationMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high speed switching and horizontal deflectionoutput applications.ABSOLU

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2N3906 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

 

 
Back to Top