Биполярный транзистор 2G231 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2G231
Тип материала: Ge
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 30 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 0.2 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
Корпус транзистора: TO3
Другие транзисторы... 2G223 , 2G224 , 2G225 , 2G226 , 2G227 , 2G228 , 2G229 , 2G230 , KTB688 , 2G240 , 2G271 , 2G30 , 2G301 , 2G302 , 2G303 , 2G304 , 2G306 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050