2SC652M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC652M

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 800 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO39

 Аналоги (замена) для 2SC652M

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC652M даташит

Спецификации не найдено!

Другие транзисторы: 2SC647P, 2SC648, 2SC648H, 2SC649, 2SC65, 2SC650, 2SC651, 2SC652, BDT88, 2SC653, 2SC654, 2SC655, 2SC656, 2SC657, 2SC658, 2SC658M, 2SC659