2SC681. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC681

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 70 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 2SC681

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC681 даташит

 ..1. Size:107K  mospec
 2sc681.pdf pdf_icon

2SC681

A A A

 ..2. Size:186K  inchange semiconductor
 2sc681.pdf pdf_icon

2SC681

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC681 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 70V (Min) CEO(SUS) Low Collector Saturation Voltage- V = 2.0V(Max.)@ I = 5A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in B/W TV horizontal output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a

 9.1. Size:1146K  1
 2sc684.pdf pdf_icon

2SC681

2SC684

Другие транзисторы: 2SC676, 2SC677, 2SC678, 2SC679, 2SC679A, 2SC68, 2SC680, 2SC680A, A733, 2SC681A, 2SC681ARD, 2SC682, 2SC682A, 2SC683, 2SC683A, 2SC684, 2SC685