2SC684. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC684

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 19 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 900 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.1 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: ERMOLD

 Аналоги (замена) для 2SC684

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC684 даташит

 ..1. Size:1146K  1
 2sc684.pdf pdf_icon

2SC684

2SC684

 9.1. Size:107K  mospec
 2sc681.pdf pdf_icon

2SC684

A A A

 9.2. Size:186K  inchange semiconductor
 2sc681.pdf pdf_icon

2SC684

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC681 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 70V (Min) CEO(SUS) Low Collector Saturation Voltage- V = 2.0V(Max.)@ I = 5A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in B/W TV horizontal output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a

Другие транзисторы: 2SC680A, 2SC681, 2SC681A, 2SC681ARD, 2SC682, 2SC682A, 2SC683, 2SC683A, B772, 2SC685, 2SC685A, 2SC685H, 2SC686, 2SC686A, 2SC687, 2SC688, 2SC689