2SC689H. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC689H

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 40

Корпус транзистора: TO18

 Аналоги (замена) для 2SC689H

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC689H даташит

 9.1. Size:1146K  1
 2sc684.pdf pdf_icon

2SC689H

2SC684

 9.2. Size:107K  mospec
 2sc681.pdf pdf_icon

2SC689H

A A A

 9.3. Size:186K  inchange semiconductor
 2sc681.pdf pdf_icon

2SC689H

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC681 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 70V (Min) CEO(SUS) Low Collector Saturation Voltage- V = 2.0V(Max.)@ I = 5A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in B/W TV horizontal output applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a

Другие транзисторы: 2SC685, 2SC685A, 2SC685H, 2SC686, 2SC686A, 2SC687, 2SC688, 2SC689, 2SD313, 2SC68M, 2SC69, 2SC690, 2SC690M, 2SC691, 2SC691M, 2SC692, 2SC692M