Справочник транзисторов. 2SC734G

 

Биполярный транзистор 2SC734G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2SC734G
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 75 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 10 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 2SC734G

 

 

2SC734G Datasheet (PDF)

 9.1. Size:335K  toshiba
2sc732.pdf

2SC734G
2SC734G

2SC732TM TOSHIBA TRANSISTOR SILOCON NPN EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS) 2SC732TM LOW NOISE AUDIO AMPLIFIER APPLICATIONS Unit in mm High Breakdomn Voltage : VCEO = 50V Excellent hFE Linearity : h (I = 0.1mA)/h (I = 2mA) = 0.95 (Typ.) FE C FE C Low Noise : NF (1) = 0.5dB (Typ.) (f = 100Hz) : NF (2) = 0.2dB (Typ.) (f = 1kHz) MAXIMUM RATINGS (Ta = 25C) CHARACTERISTIC

 9.2. Size:335K  toshiba
2sc732tm.pdf

2SC734G
2SC734G

2SC732TM TOSHIBA TRANSISTOR SILOCON NPN EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS) 2SC732TM LOW NOISE AUDIO AMPLIFIER APPLICATIONS Unit in mm High Breakdomn Voltage : VCEO = 50V Excellent hFE Linearity : h (I = 0.1mA)/h (I = 2mA) = 0.95 (Typ.) FE C FE C Low Noise : NF (1) = 0.5dB (Typ.) (f = 100Hz) : NF (2) = 0.2dB (Typ.) (f = 1kHz) MAXIMUM RATINGS (Ta = 25C) CHARACTERISTIC

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N3055 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

 

 
Back to Top