Справочник транзисторов. 2SC735G

 

Биполярный транзистор 2SC735G - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2SC735G
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 14 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 2SC735G

 

 

2SC735G Datasheet (PDF)

 9.1. Size:335K  toshiba
2sc732.pdf

2SC735G
2SC735G

2SC732TM TOSHIBA TRANSISTOR SILOCON NPN EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS) 2SC732TM LOW NOISE AUDIO AMPLIFIER APPLICATIONS Unit in mm High Breakdomn Voltage : VCEO = 50V Excellent hFE Linearity : h (I = 0.1mA)/h (I = 2mA) = 0.95 (Typ.) FE C FE C Low Noise : NF (1) = 0.5dB (Typ.) (f = 100Hz) : NF (2) = 0.2dB (Typ.) (f = 1kHz) MAXIMUM RATINGS (Ta = 25C) CHARACTERISTIC

 9.2. Size:335K  toshiba
2sc732tm.pdf

2SC735G
2SC735G

2SC732TM TOSHIBA TRANSISTOR SILOCON NPN EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS) 2SC732TM LOW NOISE AUDIO AMPLIFIER APPLICATIONS Unit in mm High Breakdomn Voltage : VCEO = 50V Excellent hFE Linearity : h (I = 0.1mA)/h (I = 2mA) = 0.95 (Typ.) FE C FE C Low Noise : NF (1) = 0.5dB (Typ.) (f = 100Hz) : NF (2) = 0.2dB (Typ.) (f = 1kHz) MAXIMUM RATINGS (Ta = 25C) CHARACTERISTIC

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

 

 
Back to Top