2SC735O. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC735O

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 14 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO92

 Аналоги (замена) для 2SC735O

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC735O даташит

 9.1. Size:335K  toshiba
 2sc732.pdf pdf_icon

2SC735O

2SC732TM TOSHIBA TRANSISTOR SILOCON NPN EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS) 2SC732TM LOW NOISE AUDIO AMPLIFIER APPLICATIONS Unit in mm High Breakdomn Voltage VCEO = 50V Excellent hFE Linearity h (I = 0.1mA)/h (I = 2mA) = 0.95 (Typ.) FE C FE C Low Noise NF (1) = 0.5dB (Typ.) (f = 100Hz) NF (2) = 0.2dB (Typ.) (f = 1kHz) MAXIMUM RATINGS (Ta = 25 C) CHARACTERISTIC

 9.2. Size:335K  toshiba
 2sc732tm.pdf pdf_icon

2SC735O

2SC732TM TOSHIBA TRANSISTOR SILOCON NPN EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS) 2SC732TM LOW NOISE AUDIO AMPLIFIER APPLICATIONS Unit in mm High Breakdomn Voltage VCEO = 50V Excellent hFE Linearity h (I = 0.1mA)/h (I = 2mA) = 0.95 (Typ.) FE C FE C Low Noise NF (1) = 0.5dB (Typ.) (f = 100Hz) NF (2) = 0.2dB (Typ.) (f = 1kHz) MAXIMUM RATINGS (Ta = 25 C) CHARACTERISTIC

Другие транзисторы: 2SC733Y, 2SC734, 2SC734G, 2SC734O, 2SC734R, 2SC734Y, 2SC735, 2SC735G, MJE340, 2SC735R, 2SC735Y, 2SC736, 2SC737, 2SC737M, 2SC738, 2SC739, 2SC74