2SC751. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC751

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 325 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO18

 Аналоги (замена) для 2SC751

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC751 даташит

 9.1. Size:68K  toshiba
2sc752.pdfpdf_icon

2SC751

 9.2. Size:373K  toshiba
2sc752tm.pdfpdf_icon

2SC751

2SC752(G)TM TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC752(G)TM Ultra High Speed Switching Applications Unit mm Computer, Counter Applications High transition frequency fT = 400 MHz (typ.) Low saturation voltage V = 0.3 V (max) CE (sat) High speed switching time t = 15 ns (typ.) stg Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics

 9.3. Size:217K  sony
2sc756.pdfpdf_icon

2SC751

 9.4. Size:456K  blue-rocket-elect
2sc752tm.pdfpdf_icon

2SC751

2SC752TM(BR3DG752TMK) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-92 NPN Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package. / Features High transition frequency, low saturation voltage, high speed switching time. / Applications Ultra high speed switchi

Другие транзисторы: 2SC741, 2SC742, 2SC743, 2SC745, 2SC746, 2SC748, 2SC749, 2SC75, 9014, 2SC752, 2SC752G, 2SC752GO, 2SC752GR, 2SC752GY, 2SC753, 2SC754, 2SC755