Справочник транзисторов. 2SC756-3

 

Биполярный транзистор 2SC756-3 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SC756-3
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 130 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 32 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 70 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
   Корпус транзистора: TO39
 

 Аналог (замена) для 2SC756-3

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC756-3 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:217K  sony
 2sc756.pdf pdf_icon

2SC756-3

 9.1. Size:68K  toshiba
 2sc752.pdf pdf_icon

2SC756-3

 9.2. Size:373K  toshiba
 2sc752tm.pdf pdf_icon

2SC756-3

2SC752(G)TM TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC752(G)TM Ultra High Speed Switching Applications Unit: mm Computer, Counter Applications High transition frequency: fT = 400 MHz (typ.) Low saturation voltage: V = 0.3 V (max) CE (sat) High speed switching time: t = 15 ns (typ.) stgMaximum Ratings (Ta == 25C) ==Characteristics

 9.3. Size:456K  blue-rocket-elect
 2sc752tm.pdf pdf_icon

2SC756-3

2SC752TM(BR3DG752TMK) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-92 NPN Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package. / Features High transition frequency, low saturation voltage, high speed switching time. / Applications Ultra high speed switchi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SC752GO , 2SC752GR , 2SC752GY , 2SC753 , 2SC754 , 2SC755 , 2SC756 , 2SC756-2 , D880 , 2SC756-4 , 2SC756A , 2SC757 , 2SC758 , 2SC759 , 2SC76 , 2SC760 , 2SC761 .

History: RN1131MFV | 2SB243 | MRF857S | MT6L76FS | DTC044EM

 

 
Back to Top

 


 
.