2SC756A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC756A

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 90 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 27

Корпус транзистора: TO39

 Аналоги (замена) для 2SC756A

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC756A даташит

 8.1. Size:217K  sony
 2sc756.pdf pdf_icon

2SC756A

 9.1. Size:68K  toshiba
 2sc752.pdf pdf_icon

2SC756A

 9.2. Size:373K  toshiba
 2sc752tm.pdf pdf_icon

2SC756A

2SC752(G)TM TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process) 2SC752(G)TM Ultra High Speed Switching Applications Unit mm Computer, Counter Applications High transition frequency fT = 400 MHz (typ.) Low saturation voltage V = 0.3 V (max) CE (sat) High speed switching time t = 15 ns (typ.) stg Maximum Ratings (Ta = = 25 C) = = Characteristics

 9.3. Size:456K  blue-rocket-elect
 2sc752tm.pdf pdf_icon

2SC756A

2SC752TM(BR3DG752TMK) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions TO-92 NPN Silicon NPN transistor in a TO-92 Plastic Package. / Features High transition frequency, low saturation voltage, high speed switching time. / Applications Ultra high speed switchi

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC752GY, 2SC753, 2SC754, 2SC755, 2SC756, 2SC756-2, 2SC756-3, 2SC756-4, 2SC5198, 2SC757, 2SC758, 2SC759, 2SC76, 2SC760, 2SC761, 2SC761S, 2SC762