2SC795. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC795

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 9 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 90 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO37

 Аналоги (замена) для 2SC795

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC795 даташит

 9.1. Size:39K  toshiba
 2sc790.pdf pdf_icon

2SC795

 9.2. Size:45K  no
 2sc799.pdf pdf_icon

2SC795

 9.3. Size:142K  jmnic
 2sc792.pdf pdf_icon

2SC795

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC792 DESCRIPTION With TO-3 package High breakdown voltage APPLICATIONS For voltage regulator,inverter,switching mode power supply applications PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter 3 Collector Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol Absolute maximum ratings(Ta= ) SYMBOL PARAMETER CON

 9.4. Size:215K  inchange semiconductor
 2sc790.pdf pdf_icon

2SC795

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC790 DESCRIPTION Low Collector Saturation Voltage- V = 1.4(V)(Max)@ I = 2A CE(sat) C DC Current Gain- h = 40-240 @ I = 0.5A FE C Complement to Type 2SA490 Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for power amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SY

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SC790, 2SC791, 2SC792, 2SC793, 2SC793B, 2SC793R, 2SC793Y, 2SC794, TIP31C, 2SC796, 2SC797, 2SC798, 2SC799, 2SC80, 2SC800, 2SC801, 2SC802