2SC82. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC82

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 10

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 2SC82

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC82 даташит

 0.1. Size:55K  panasonic
 2sc829.pdf pdf_icon

2SC82

Transistor 2SC829 Silicon NPN epitaxial planer type For high-frequency amplification Unit mm 5.0 0.2 4.0 0.2 Features Optimum for RF amplification, oscillation, mixing, and IF stage of FM/AM radios. Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Parameter Symbol Ratings Unit +0.2 +0.2 0.45 0.1 0.45 0.1 Collector to base voltage VCBO 30 V 1.27 1.27 Collector to emitter voltage VCE

 0.2. Size:59K  panasonic
 2sc829 e.pdf pdf_icon

2SC82

Transistor 2SC829 Silicon NPN epitaxial planer type For high-frequency amplification Unit mm 5.0 0.2 4.0 0.2 Features Optimum for RF amplification, oscillation, mixing, and IF stage of FM/AM radios. Absolute Maximum Ratings (Ta=25 C) Parameter Symbol Ratings Unit +0.2 +0.2 0.45 0.1 0.45 0.1 Collector to base voltage VCBO 30 V 1.27 1.27 Collector to emitter voltage VCE

 0.3. Size:53K  no
 2sc828.pdf pdf_icon

2SC82

Другие транзисторы: 2SC812F, 2SC814, 2SC815, 2SC815S, 2SC816, 2SC817, 2SC818, 2SC819, 2SC945, 2SC820, 2SC821, 2SC821Z, 2SC822, 2SC822Z, 2SC823, 2SC824, 2SC825