Биполярный транзистор 2SC855 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: 2SC855
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 400 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
   Корпус транзистора: TO5
     - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам