2SC861. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC861

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 450 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO3

 Аналоги (замена) для 2SC861

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC861 даташит

 9.1. Size:154K  jmnic
 2sc867.pdf pdf_icon

2SC861

JMnic Product Specification Silicon NPN Power Transistors 2SC867 DESCRIPTION With TO-66 package High collector-base breakdown voltage VCBO=400V(min) APPLICATIONS For high voltage and switching applications PINNING(see Fig.2) PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Emitter Fig.1 simplified outline (TO-66) and symbol 3 Collector Absolute maximum ratings(Ta= ) SYMBOL PARAMETER

 9.2. Size:189K  inchange semiconductor
 2sc867.pdf pdf_icon

2SC861

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC867 DESCRIPTION With TO-66 Package Low collector saturation voltage Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in line-operated color TV chroma output circuits and sound output circuits. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Collector-Base Vo

Другие транзисторы: 2SC857, 2SC857H, 2SC858, 2SC858FP, 2SC859, 2SC859FP, 2SC86, 2SC860, BC337, 2SC862, 2SC863, 2SC864, 2SC865, 2SC866, 2SC867, 2SC867A, 2SC868