2SC891. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SC891

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 20

Корпус транзистора: TO128

 Аналоги (замена) для 2SC891

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SC891 даташит

 9.1. Size:49K  1
 2sc892.pdf pdf_icon

2SC891

 9.2. Size:185K  inchange semiconductor
 2sc898.pdf pdf_icon

2SC891

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC898 DESCRIPTION Collector-Emitter Breakdown Voltage- V = 150V (Min) (BR)CEO Low Collector Saturation Voltage- V = 1.5V(Max.)@ I = 6A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for amplifier applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER MAX U

 9.3. Size:184K  inchange semiconductor
 2sc897.pdf pdf_icon

2SC891

INCHANGE Semiconductor isc Silicon PNP Power Transistor 2SC897 DESCRIPTION With TO-3 packaging Large collector current Low collector saturation voltage High power dissipation Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in DC-DC converter Driver of solenoid or motor ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 )

Другие транзисторы: 2SC884, 2SC885, 2SC886, 2SC887, 2SC888, 2SC889, 2SC89, 2SC890, BC558, 2SC892, 2SC893, 2SC894, 2SC895, 2SC895-1, 2SC896, 2SC897, 2SC897A