2SD1007HR - описание и поиск аналогов

 

2SD1007HR. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SD1007HR

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 45 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 90

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для 2SD1007HR

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD1007HR даташит

 ..1. Size:223K  cn shikues
 2sd1007hr 2sd1007hq 2sd1007hp.pdf pdf_icon

2SD1007HR

 7.1. Size:223K  nec
 2sd1006 2sd1007.pdf pdf_icon

2SD1007HR

 7.2. Size:357K  kexin
 2sd1007.pdf pdf_icon

2SD1007HR

SMD Type Transistors NPN Transistors 2SD1007 1.70 0.1 Features High collector to emitter voltage VCEO 120V. 0.42 0.1 0.46 0.1 1.Base 2.Collector 3.Emitter Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Collector-base voltage VCBO 120 V Collector-emitter voltage VCEO 120 V Emitter-base voltage VEBO 5 V Collector current IC 0.7 A Collector current (pulse) * IC (pu

 7.3. Size:1001K  cn hottech
 2sd1007.pdf pdf_icon

2SD1007HR

2SD1007 NPN Silicon Epitaxial Transistor FEATURES High collector to emitter voltage VCEO 120V. SOT-89 MECHANICAL DATA Case SOT-89 Case Material Molded Plastic. UL flammability Classification Rating 94V-0 Weight 0.055 grams (approximate) MAXIMUM RATINGS (T = 25 C unless otherwise noted) A Parameter Symbol Rating Unit Collector-base voltage V 120 V CBO Co

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD1005BW, 2SD1006, 2SD1006HK, 2SD1006HL, 2SD1006HM, 2SD1007, 2SD1007HO, 2SD1007HP, BC546, 2SD1009, 2SD100A, 2SD101, 2SD1010, 2SD1011, 2SD1012, 2SD1012F, 2SD1012G

 

 

 

 

↑ Back to Top
.