Справочник транзисторов. 2SD1007HR

 

Биполярный транзистор 2SD1007HR Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SD1007HR
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 45 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 12 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 90
   Корпус транзистора: SOT89
 

 Аналог (замена) для 2SD1007HR

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD1007HR Datasheet (PDF)

 ..1. Size:223K  cn shikues
 2sd1007hr 2sd1007hq 2sd1007hp.pdf pdf_icon

2SD1007HR

 7.1. Size:223K  nec
 2sd1006 2sd1007.pdf pdf_icon

2SD1007HR

 7.2. Size:357K  kexin
 2sd1007.pdf pdf_icon

2SD1007HR

SMD Type TransistorsNPN Transistors2SD10071.70 0.1FeaturesHigh collector to emitter voltage: VCEO 120V.0.42 0.10.46 0.11.Base2.Collector3.EmitterAbsolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating UnitCollector-base voltage VCBO 120 VCollector-emitter voltage VCEO 120 VEmitter-base voltage VEBO 5 VCollector current IC 0.7 ACollector current (pulse) * IC (pu

 7.3. Size:1001K  cn hottech
 2sd1007.pdf pdf_icon

2SD1007HR

2SD1007NPN Silicon Epitaxial TransistorFEATURESHigh collector to emitter voltage: VCEO 120V.SOT-89MECHANICAL DATA Case: SOT-89 Case Material: Molded Plastic. UL flammability Classification Rating: 94V-0 Weight: 0.055 grams (approximate)MAXIMUM RATINGS (T = 25C unless otherwise noted)AParameter Symbol Rating UnitCollector-base voltage V 120 VCBOCo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SD1005BW , 2SD1006 , 2SD1006HK , 2SD1006HL , 2SD1006HM , 2SD1007 , 2SD1007HO , 2SD1007HP , 8050 , 2SD1009 , 2SD100A , 2SD101 , 2SD1010 , 2SD1011 , 2SD1012 , 2SD1012F , 2SD1012G .

 

 
Back to Top

 


 
.