Справочник транзисторов. 2SD1012

 

Биполярный транзистор 2SD1012 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SD1012
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 250 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160
   Корпус транзистора: SPA
 

 Аналог (замена) для 2SD1012

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD1012 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:57K  sanyo
2sd1012.pdfpdf_icon

2SD1012

Ordering number:ENN676DPNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors2SB808/2SD1012Low-Voltage Large-CurrentAmplifier ApplicationsPackage Dimensionsunit:mm2033A[2SB808/2SD1012]2.24.00.40.50.40.41 2 31.3 1.31 : Emitter2 : Collector( ) : 2SB8083 : Base3.03.8 SANYO : SPASpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta = 25CParameter Symbol Conditions R

 8.1. Size:42K  panasonic
2sd1011 e.pdfpdf_icon

2SD1012

Transistor2SD1011Silicon NPN epitaxial planer typeFor low-frequency amplificationUnit: mm5.0 0.2 4.0 0.2FeaturesHigh foward current transfer ratio hFE.Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat).High emitter to base voltage VEBO.Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)Parameter Symbol Ratings Unit +0.2 +0.20.45 0.1 0.45 0.1Collector to base voltage VCBO 1

 8.2. Size:42K  panasonic
2sd1011.pdfpdf_icon

2SD1012

Transistor2SD1011Silicon NPN epitaxial planer typeFor low-frequency amplificationUnit: mm5.0 0.2 4.0 0.2FeaturesHigh foward current transfer ratio hFE.Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat).High emitter to base voltage VEBO.Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)Parameter Symbol Ratings Unit +0.2 +0.20.45 0.1 0.45 0.1Collector to base voltage VCBO 1

 8.3. Size:42K  panasonic
2sd1010 e.pdfpdf_icon

2SD1012

Transistor2SD1010Silicon NPN epitaxial planer typeFor low-frequency amplificationUnit: mm5.0 0.2 4.0 0.2FeaturesHigh foward current transfer ratio hFE.Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat).High emitter to base voltage VEBO.Low noise voltage NV.Absolute Maximum Ratings (Ta=25C)+0.2 +0.20.45 0.1 0.45 0.1Parameter Symbol Ratings Unit1.27 1.2

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SC4793 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: 2SC4863 | 2SC4898 | 2SCR514P | NA21YI

 

 
Back to Top

 


 
.