Справочник транзисторов. 2SD1082

 

Биполярный транзистор 2SD1082 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2SD1082
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: TO218
 

 Аналог (замена) для 2SD1082

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD1082 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:111K  mospec
 2sd1088.pdf pdf_icon

2SD1082

AAA

 8.2. Size:56K  no
 2sd1083.pdf pdf_icon

2SD1082

 8.3. Size:180K  inchange semiconductor
 2sd108.pdf pdf_icon

2SD1082

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Darlingtion Power Transistor 2SD108DESCRIPTIONHigh DC current gain-: h = 2000 (Min) @ I = 1AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V =80V(Min)CEO(SUS)Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower switchingHammer driversSeries and shunt regulatorAudio amplifi

 8.4. Size:212K  inchange semiconductor
 2sd1088.pdf pdf_icon

2SD1082

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD1088DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 250V(Min)CEO(SUS)High DC Current Gain-: h = 2000(Min.)@I = 2AFE CLow Collector-Emitter Saturation Voltage-: V = 2.0V(Max) @I = 4ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in hig

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2SD1079 , 2SD108 , 2SD1080 , 2SD1080L , 2SD1080S , 2SD1081 , 2SD1081L , 2SD1081S , BC556 , 2SD1083 , 2SD1083L , 2SD1083S , 2SD1084 , 2SD1085 , 2SD1085K , 2SD1087 , 2SD1088 .

History: 2SD1063S | 2SD1085

 

 
Back to Top

 


 
.