2SD1082 - описание и поиск аналогов

 

2SD1082. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 2SD1082

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: TO218

 Аналоги (замена) для 2SD1082

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2SD1082 даташит

 8.1. Size:111K  mospec
 2sd1088.pdf pdf_icon

2SD1082

A A A

 8.2. Size:56K  no
 2sd1083.pdf pdf_icon

2SD1082

 8.3. Size:180K  inchange semiconductor
 2sd108.pdf pdf_icon

2SD1082

INCHANGE Semiconductor isc Silicon NPN Darlingtion Power Transistor 2SD108 DESCRIPTION High DC current gain- h = 2000 (Min) @ I = 1A FE C Collector-Emitter Sustaining Voltage- V =80V(Min) CEO(SUS) Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power switching Hammer drivers Series and shunt regulator Audio amplifi

 8.4. Size:212K  inchange semiconductor
 2sd1088.pdf pdf_icon

2SD1082

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD1088 DESCRIPTION Collector-Emitter Sustaining Voltage- V = 250V(Min) CEO(SUS) High DC Current Gain- h = 2000(Min.)@I = 2A FE C Low Collector-Emitter Saturation Voltage- V = 2.0V(Max) @I = 4A CE(sat) C Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Designed for use in hig

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 2SD1079, 2SD108, 2SD1080, 2SD1080L, 2SD1080S, 2SD1081, 2SD1081L, 2SD1081S, D209L, 2SD1083, 2SD1083L, 2SD1083S, 2SD1084, 2SD1085, 2SD1085K, 2SD1087, 2SD1088

 

 

 

 

↑ Back to Top
.