Биполярный транзистор 2SD1083L - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2SD1083L
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 150
Корпус транзистора: TO218
2SD1083L Datasheet (PDF)
2sd108.pdf
INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN Darlingtion Power Transistor 2SD108DESCRIPTIONHigh DC current gain-: h = 2000 (Min) @ I = 1AFE CCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V =80V(Min)CEO(SUS)Minimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower switchingHammer driversSeries and shunt regulatorAudio amplifi
2sd1088.pdf
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor 2SD1088DESCRIPTIONCollector-Emitter Sustaining Voltage-: V = 250V(Min)CEO(SUS)High DC Current Gain-: h = 2000(Min.)@I = 2AFE CLow Collector-Emitter Saturation Voltage-: V = 2.0V(Max) @I = 4ACE(sat) CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for use in hig
Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , TIP122 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .
