Справочник транзисторов. 2SD1096

 

Биполярный транзистор 2SD1096 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 2SD1096
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 140
   Корпус транзистора: TO218

 Аналоги (замена) для 2SD1096

 

 

2SD1096 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:197K  toshiba
2sd1090.pdf

2SD1096
2SD1096

 8.2. Size:285K  toshiba
2sd1092.pdf

2SD1096
2SD1096

 8.3. Size:185K  inchange semiconductor
2sd1095.pdf

2SD1096
2SD1096

isc Product Specificationisc Silicon NPN Power Transistor 2SD1095DESCRIPTIONHigh Voltage CapabilityExcellent Safe Operating AreaFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching regulatorsMotor controls .DC-DC converters .Absolute maximum ratings(Ta=25)SYM

 8.4. Size:185K  inchange semiconductor
2sd1094.pdf

2SD1096
2SD1096

isc Product Specificationisc Silicon NPN Power Transistor 2SD1094DESCRIPTIONHigh Voltage CapabilityHigh Current CapabilityFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for switching and general purpose poweramplifiers applications .Absolute maximum ratings(Ta=25

Другие транзисторы... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N3055 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

 

 
Back to Top